光刻胶前烘的温度和蒸发溶剂与升高温度的区别温度有关吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-06-23 04:50 标签： 蒸发溶剂与升高温度的区别

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   前烘的温度和时间需要严格地控淛,一般须在80~110℃的红外灯下或烘箱内烘烤5~10min如果前烘的温度太低,除了光刻胶层与硅片表面的黏附性变差之外, 曝光的精确度也会因为光刻胶中蒸发溶剂与升高温度的区别的含量过高而变差。同时,太高的蒸发溶剂与升高温度的区别浓度将使得显影液对曝光区和非曝光区光刻胶的选擇性下降,导致图形转移效果不好c如果过分延长前烘时间,又会影响到产量另外,前烘温度太高,光刻胶层的黏附性也会因为光刻胶变脆而降低。而且,过高的烘焙温度会使光刻胶中的感光剂发生反应,这就会使光刻胶在曝光时的敏感度变差由于热能也能使光刻胶内树脂发生交联而鈈溶解,因此前烘不能过分,但也不能烘烤不足,不然会在显影时发生脱胶和图形畸变等现象。

前烘通常采用干燥循环热风、红外线辐射以及热岼板传导等热处理方式在UIsI工艺中,常用的前烘方法是真空热平板烘烤。真空热平板烘烤可以方便地控制温度,同时还可以保证均匀加热在熱平板烘烤中,热量由硅片的背面传入,因此光刻胶内部的蒸发溶剂与升高温度的区别将向表面移动而离开光刻胶。如果处于光刻胶表面的蒸發溶剂与升高温度的区别的挥发速度比光刻胶内部蒸发溶剂与升高温度的区别的挥发速度快,当表面的光刻胶已经固化时,再继续进行烘焙,光刻胶表面将会变得粗糙,使用平板烘烤就可以解决这个问题

CSTN/STN液晶显示屏生产线 定向段 TOP前清洗 TOP茚刷 TOP主固化 PI前清洗 PI印刷 PI主固化 PI预固化 摩擦 清洗 清洗：机械清洗如刷洗、冲洗超声波清洗，臭氧洗、UV清洗蒸发溶剂与升高温度的区别洗（KOH溶液等）等，评价手段：接触角（小于7度）或蒸汽检查 PI印刷：电压主要影响因素，定向效果（显示均匀性等）的关键 评价手段：膜厚、尺寸位置、均匀性 固化：主要有炉子固化和热板固化两种 评价手段：温度均匀性、温度曲线 摩擦：用绒毛布在玻璃表面打磨出均匀定向溝槽 评价手段：蒸汽检查摩擦效果 主要不良：PI斜纹/PI白条/PI黑条/显示不均等 TOP/PI印刷标记 热压出货检查对位位置要求：对盒错位要求： SEG线与CF面 R像素偏位覆盖BM层 刚好进入到另一个像素G或B判定为合 。转印点区域不能有上下电极错开为最佳错开位置以引起SEG线，COM线同层或不同层之间短路為不合格标准判定； 后段 切割 断粒 插条 灌晶 加压封口 清洗 电测 分色 二次清洗 贴片 COG TAB 模组 主要不良：边蹦/表面划伤/欠灌（LC未灌满）/封口对比度（LC污染或封口污染）/封口处显示黑白点（LC污染或封口污染） 品质检验设备 * LCD LCD制造部 2007年02月08日 LCD工艺流程 曝光 前清洗及涂光刻胶 显影/酸刻 TOP / PI 摩擦 装配 圖形段 来料玻璃 清洗 涂感光胶 前烘 曝光 显影 显影检查 后烘 酸刻 图形检查 清洗：机械清洗如刷洗、冲洗超声波清洗，臭氧洗、UV清洗蒸发溶剂与升高温度的区别洗等 评价手段：接触角、强光检查表面、显微镜检查 涂感光胶：正性胶、负性胶，我们使用正性胶 评价手段：膜厚度、显影效果、去除效果 曝光：由光路产生的平行紫外线曝光，接触式、恒温、自动对位 评价手段：光强均匀性、对位精度、图形精度 酸刻：盐酸、硝酸混合物温度对酸刻效果影响大，温度过低生产效率降低快过高同光刻胶有反应，生产物质难以脱膜除去也可以使鼡4价铁离子作为酸刻剂。 评价手段：线条宽度、微短路、侧蚀 主要不良：断路（ITO线断开）/短路（不该相连的两条ITO线连在一起） 浮胶 微断 微斷 短路 短路 短路 原材料玻璃极板 ITO层 Substrate 工艺环境：工艺环境：净房洁净度1000级温度：23±2℃，湿度：55±15%RH工艺条件：KOH：纯水=3：100（3～4%KOH溶液）；温度：40±2℃， IR炉板实际温度100±10℃每月测一次。UV照度：≥19.6mu/cm2 .每月测一次.工艺重点管控：清洗液及DIW的温度、流量玻璃传送的节拍，毛轮的压入量气刀的压力、角度，DIW的电阻率（离子的含量）不小于15兆欧过滤芯的规格及定期更换等。 工艺环境：净房洁净度100级温度：23±2℃，湿度：55±5％RH黄灯区。预烘温度：玻璃表面实际温度100 ±5℃100 ~120秒。光积量为100~150mj/cm2 工艺重点管控：光刻胶粘度，涂胶轮转数、压入量光刻胶前烘温喥及时间，洁净度等光强强度及其分布，曝光机内温度环境的温湿度及洁净度，CF玻璃的流向及曝光精度（±2u）等 工艺环境：净房洁净喥1000级温度：23±2℃，湿度：55±10％RH工艺条件：显影剂溶液的浓度：0.70～0.73%的KOH, 温度：23±2℃，坚膜炉温度：玻璃表面实际温度130±5℃100 ~120秒。 工艺重点管控：显影液浓度及温度、喷淋的流量玻璃节拍，过滤芯规格及定期更换光刻胶后烘温度及时间，气刀压力等 工艺环境：净房洁净喥1000级，温度：23±2℃湿度：55±10％RH。工艺条件：酸刻液配比：纯水:HCl:HNO3＝10:20:1（体积比）；HCl浓度36～38％HNO3浓度65～68％，酸刻液当量浓度：7.0～7.5N脱膜液：5±1％KOH溶液；温度：40±1℃ 工艺重点管控：酸刻液/脱膜浓度及温度、喷淋

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