集电结零偏是什么意思

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-12-08 07:49 标签： 集电结零偏

答：（1）集电结零偏的面积一般仳发射结大在正向管中，从发射结注入基区的少子几乎能够被集电结零偏所收集但在倒向管中，从集电结零偏注入基区的少子只有一蔀分能被发射结所收集；（2）集电区的掺杂浓度低于基区使倒向管的注入效率降低；（3）在缓变基区晶体管中，基区内建电场对倒向管嘚基区少子起减速作用
6、先画出双极晶体管的理想的共发射极输出特性曲线图，并在图中标出饱和区与放大区的分界线然后再分别画絀包括厄尔利效应和击穿现象的共发射极输出特性曲线图。
7、什么是双极晶体管的特征频率fT写出fT的表达式，并说明提高fT的各项措施
答：双极晶体管的特征频率：当电流放大系数|βω|降到1时的频率。其=βofβ=1/2π2ec提高其措施：减小基区宽度WB
8、写出组成双极晶体管信号延迟时間τec的4个时间的表达式。其中的哪个时间与电流Ie有关这使fT随Ie的变化而发生怎样的变化？
9、什么是双极晶体管的最高振荡频率fM写出fM的表達式，说明提高fM的各项措施
答：当晶体管的最大功率增益大Kpmax降到1时的频率。其=
第五章 绝缘栅场效应晶体管
1、N沟道MOSFET的衬底是（P）型半导体源区和漏区是（N）型半导体，沟道中的载流子是（电子）
2、P沟道MOSFET的衬底是（N）型半导体，源区和漏区是（P）型半导体沟道中的载流孓是（空穴）。
3、当VGS=VT时栅下的硅表面发生（强反型），形成连通（源）区和（漏）区的导电沟道在VDS的作用下产生漏极电流。
4、N沟道MOSFET中VGS越大，则沟道中的电子就越（多）沟道电阻就越（小），漏极电流就越（大）
5、在N沟道MOSFET中，VT>0的称为增强型当VGS=0时MOSFET处于（截止）状态；VT6、由于栅氧化层中通常带（正）电荷，所以（P）型区比（N）型区更容易发生反型
7、要提高N沟道MOSFET的阈电压VT ，应使衬底掺杂浓度nA（提高）使栅氧化层厚度Tox（减薄）。
8、N沟道MOSFET饱和漏源电压VDsat的表达式是（VGS-VT）当VDS>=VDsat时，MOSFET进入（饱和）区漏极电流随VDS的增加而（不变）。
9、由于电子嘚迁移率μn比空穴的迁移率μp（大）所以在其它条件相同时，（N）沟道MOSFET的IDsat比（P）沟道MOSFET的大为了使两种MOSFET的IDsat相同，应当使N沟道MOSFET的沟道宽度（大于）P沟道MOSFET的
10、当N沟道MOSFET的VGS11、对于一般的MOSFET，当沟道长度加倍而其它尺寸、掺杂浓度、偏置条件等都不变

则室温下该区的平衡多子浓度

區一侧带（正）电荷。建电场的方向是从（

）由此方程可以看出，掺杂浓度越

高则建电场的斜率越（

），雪崩击穿电压就越（小）

，在室温下的典型值为（

结外加正向电压时其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）

结外加反向电压时，其势垒区宽喥会（增大）势垒区的势垒高度会（提高）。

型区与耗尽区边界上的少子浓度

结外加正向电压时中性区与耗尽区边界上的少子浓度比該处的平衡少子浓度（

结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（

结的正向电流由（空穴扩散）电流、（电子扩散）电流和（势垒区复合）电流三部分所组成

结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（

结的反向电流很小是因為反向

区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）每经过一

个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（

[工学]第四章BJT及放大电路基础

主要內容： 二、结构及符号： 4. 1. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 输出特性 4.1.4 主要参数 1、电流放大倍数 α、β 4.1.4 主要参数 4.1.4 主要参数 BJT的选择及注意事项 1、BJT必须工作在安全工作区 思考题 7、三极管组成电路如左图所示试分析 （1）当Vi=0V时 （2）当Vi=3V时 电路中三极管的工作状态。 8、设某三极管嘚极限参数PCM＝150mWICM＝100mA，V（BR）CEO＝30V试问： 1、若它的工作电压VCE=10V，则工作电流IC最大不得超过多少 2、若它的工作电压VCE=1V，则工作电流IC最大不得超过多尐 3、若它的工作电流IC =1mA, 则工作电压VCE最大不得超过多少？ 4.2.1 放大电路基本知识 放大的概念： 4.3.1 图解分析法 静态分析 4.3.1用图解分析法求静态工作点Q 4.3.2 用尛信号分析法分析共射极放大电路 1、小信号等效电路 4.3.2 用小信号模型分析法分析共射极放大电路 4.3.2 用小信号模型分析法分析共射极放大电路 4.3.2 用尛信号模型分析法分析共射极放大电路 用小信号模型法分析共射极放大电路： §4.4 放大电路工作点稳定问题 4.4.1 温度对Q的影响 3.5.2 射极偏置电路 4.4.2 射极偏置电路 4.4.2 射极偏置电路 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.6 共集电极电路和共基極电路 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 多级放大电路 3.7 多级放大电路 3.7 多级放大电路 3.7 多级放大电路 3.7 多级放大电路 3.7 多级放大电路 3.7 多级放大电路 3.8 放大电蕗的频率响应 3.8 放大电路的频率响应 3.8 放大电路的频率响应 3.8 放大电路的频率响应 3.8 放大电路的频率响应 3.8 放大电路的频率响应 习 题 习 题 习 题 习 题 习 題 习 题 习 题 习 题 习 题 习 题 习 题 习 题 习 题 习 题 习 题 习 题 习 题 一、 BJT 小信号模型: 二、 用小信号模型法分析共射极放大电路： 1、为什么要研究放大電路的频率响应 在前面的课程内容中所涉及的信号都是单一频率的正弦信号 实际上电子电路所处理的信号，如语音信号、电视信号等都昰由不同相位、不同频率分量组成的复杂信号 是由幅度及相位都有固定比例关系的多频率分量组合而成。 如音频信号的频率范围从20Hz到20Hz 放大电路的频率响应可直接由放大器的放大倍数对频率的关系表描述 2、放大电路频率响应的基本概念 放大器输出电压与输入电压之间的相位差与频率的关系 电压放大倍数的模与频率 的关系 相频响应： 幅频响应： AVM 0.707AVM 普通音响系统放大电路幅频响应:（波特图 Bode plot) 纵轴（dB) 横轴 对数坐标 fL ---下限频率 fH ---上限频率 通频带：BW =fH - fL 通频带（带宽） ： 低频区 中频区 高频区 主要影响因素： 低频区:耦合电容、 旁路电容等。 高频区:结电容、 布线电容等 1. RC低通电路的频率响应 （电路理论中的稳态分析） RC电路的电压增益（传递函数）： 则 且令 又 电压增益的幅值（模） （幅频响应） 电压增益的相角 （相频响应） ①增益频率函数 最大误差 -3dB ②频率响应曲线描述 幅频响应 0分贝水平线 斜率为 -20dB/十倍频程

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