为什么内存条涨价老厉害了？原因在这里！
内存的核心是半导体晶体芯片，又称晶圆片，其生产包括芯片制造与颗粒焊接封装两大部分，其中光刻技术占芯片制造成本的30%，对芯片集成度的提高起了决定性的作用。
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　　出品| 网易新闻　　作者| 大地、常松，清华大学材料科学与工程学院　　在刚刚过去不久的双十一大战中，“剁手”的不止广大女性同胞，不少男同胞也是摩拳擦掌，对着屏幕不停挑挑比比。只不过，他们买买买的方向略有不同，内存条便是十分青睐的一类宝贝。然而，坏消息是，最近几个月以来，国内内存条的价格一直在涨涨涨，甚至有调查称最高涨幅达到三、四倍。　　&某品牌8G ddr4内存条价格走势，双十一期间迎来一波儿高峰　　是什么因素让内存条价格涨幅如此剧烈？内存条之于智能设备的性能为何如此重要？内存条被认为是中国造不好的生活必需品之一，现实情况真的如此么？我们先从最基础的原理开始讲起。　　（一）所有计算机都依赖的结构：存储　　上至大型机，下至pc与手机，其基本结构都是相同的：基于冯·诺依曼结构的运算、控制、存储、输入与输出五大部分。计算机的cpu、手机的soc起运算与控制的作用，相应的存储器用于记忆程序与数据。工作时，cpu从存储器里调用程序与数据，并将处理后的结果输出至输出设备。　　要想讲清楚所有存储设备的原理需要很多工夫。　　首先介绍几个规律：基于存储器的结构，数据容量越小的存储器越容易实现更为高速高频的读写调用过程；CPU是一台计算机中运算速度最快的没有之一；为了保证巨量多重的计算过程的高效率，计算机工程师会依据数据被cpu调用的频率高低分层级进行存储。由此，我们可以简单将存储器件简要分类并做简要分析：　　&主要存储器的容量与读写时间对比　　主存储器（main memory），即我们常说的（运行）内存，原理上属于动态随机存储器（Dram dynamic random access memory）。其调用来自闪存/磁盘的程序数据，供cpu读取与计算。若没有主存储器的结构，cpu直接读取闪存/磁盘中的数据的话，会极大地限制计算的速度与效率。主存储器是一种易挥发的存储设备，其断电后所储存的数据就会丢失。　　本地存储器（Local Storage），即我们常说的机身内存，原理上属于非易失型存储器。主要分为闪存和磁盘两类。快闪存储器（flash memory），即闪存，日常的U盘、手机SD扩展卡、内置存储卡、数码相机存储卡，还包括现在流行的固态硬盘都使用这种存储器。作为不易挥发的可以永久保存数据的存储器，闪存拥有比磁盘存储器更快的读写速度。　　磁盘存储器（magnetic-disk storage），即磁盘。作为民用pc的主流存储设备，磁盘拥有大容量、低成本的优势，是长期存储的主要介质。为了能够访问数据，系统必须将数据从磁盘移到内存。　　光盘、磁带等存储器，作为上一代个人电脑的主要存储器，目前已逐渐被闪存和磁盘取代。　　寄存器、缓存器的思路基本等同于内存—硬盘的设计思路，都是基于将cpu调用频率更高的数据单独存储起来，一级一级访问速度递增，从而提高计算机整体的运算速度。　　&各级存储器的调用逻辑与特点　　了解了这个，便可以区分所谓的运行内存和机身内存的区别。通俗点儿说，运行内存决定了你的设备的单任务处理速度以及多任务处理能力，也即是“快”的标准，而机身内存决定了你的设备能够存放多少量级的数据，也即是“大”的标准。　　当然，真实情况远比这个解释要复杂得多，并非运行内存大的设备就一定流畅：处理器、内存的读写速度、系统/软件的优化，都会影响设备的使用体验。　　（二）作为智能设备的核心，内存究竟是什么？　　数据最基础的存储就是“0”和“1”，而所有存储器的物质结构基础，就是构造各种器件，来实现“0”和“1”。　　内存的最原始单元比较好理解，本质上是利用半导体晶体管（NMOS）充当的“开关”作用。通过行选地址（Row Select）打开开关，列选地址（Column Select）便可以使电容器带电。电容器由不带电到带电的过程，就是这一个bit由“0”写入“1”的过程。同样通过行地址的作用，列地址可以感受电容的放电变化，这就是读取这一数据的过程。写入与擦除过程可以从下图看出来：其中黄色的颗粒是电荷，暂时储存黄色颗粒的圆筒形结构是电容。而其间的开关便是晶体管。　　&Dram基础存储单元　　&写入与擦除过程　　当然这只是一个bit的数据结构，要想达到GB的存储量级，还需要集成千万级别的晶体管数量。为了读出这些数据，需要大量的外围电路结构。而如何设计外围电路结构也成为了内存制造乃至所有芯片制造业的一大难点。下图为16bit位宽的存储单元，是如今主流内存的标准规格之一（还有8bit，32bit）。存储单元是内存与cpu交互的最小单元，换句话说，每一次cpu调用内存数据的量都是整数倍个位宽。　　&Dram 存储单元4X4内部结构,位宽16bit　　Dram内部的存储单元都是以阵列形式排列的，行列地址总线分别根据经过行列地址译码器译码后分别指向一行和一列，行列重叠的单元就是我们所寻找的存储单元，这就是内存芯片寻址的基本原理。但是一个全容量的阵列结构会降低寻址效率，而且引起寻址冲突。因此计算机工程师们设计了分割形式的多Bank结构Dram——基于每个Bank结构的行列位置进行选址。内存在接到cpu的调用指令后，首先启用bank控制逻辑模块，找到所需的数据保存在哪个bank中，再通过行列地址找到对应的存储单元。　　& 内存颗粒结构/编码寻址示意（4 bank，行列位数=4）　　由此也可以引入行地址和列地址的概念。如何从千万上亿的晶体管中找到所需要的那个存储元件？我们通过编码译码的方式简化表示行列的位数，使20位数的行列地址就能指示100万量级的存储元件（2^20=1048579）。那么，整个内存条的容量也就可以计算了：行数&列数&位宽（bit）&bank数目&内存颗粒数。所有行数&所有列数表示了单个bank内的存储元件个数；位宽表示了单个存储元件所存储的数据量级；bank数目表示了单个内存颗粒内分割而成的bank的数目；内存颗粒数表示了整个内存条是由多少个颗粒集成的。　　当然了，以上的模式都是基于Sdram的原理，对于如今的主流内存形式DDR/DDR1/DDR2/DDR3乃至DDR4，由于其涉及的双沿传输和预存取（Prefetch）原理，使内存条的数据传输速度提高了数倍，而且是在其核心的计算速度没有提高的情况下实现的。　　&DDR各工作频率对比　　在不提高核心频率的基础上提高数据传输速率，这其实像一个接口流量问题：就像出口开得越小流速越大一样，工程师通过提高内存内部总线宽度（指总线每周期内可以传输的数据的极限值，通过并行转串行的多通道技术实现），在核心频率不变、输出总线宽度不变的情况下提高传输速度，提高在输出总线上的时间周期和带宽，从而实现数据传输效率的提升。而所谓的双沿传输，则是指通过差分时钟技术，一并利用时钟频率的上升沿和下降沿来传递信息，实现一个时间周期两倍的数据传输量。　　&DDR3 x8 configuration(8-bit prefetch)模式图　　&DDR1/2/3 模式图　　以下是某厂商的DDR3内存颗粒原理图解，可以清晰地看出8组bank、8组内总线（DQ[7:0]）。而其列地址有三组用于配置运行中的突发长度模块。特别的，在DDR内存中，由于将并行的总线转换为串行，单个存储元件的位宽经过多通道技术的“富集”相当于倍增了。于是在DDR/DDR2/DDR3中，内存芯片的位宽（一次可以传输的数据量）分别扩大至2/4/8倍——对应的是预存取位数的2bit/4bit/8bit。　　&DDR3 内存颗粒模式图　　（三）我们常说的内存，是如何生产的？　　所有半导体芯片，其实本质上都是高集成度的电路罢了，而其单个元件也是主要由p-n结半导体构成的。　　就微电子生产工艺上讲，图形转移是加工的重要基础——如何把器件和电路的设计图纸或工作站转移到硅基片上去？这实际上是一个在衬底上建立三维图形的过程，而这也就成为了晶圆片代工厂所必须要掌握的工艺。　　掺杂、制膜、图形转移成为了微电子生产的主要工艺。而图形转移过程主要由光刻和蚀刻承担。光刻，又称为图形曝光，使用带有某一层设计几何形状的掩模版（mask），通过光化学反应，经过曝光与显影，使光敏的光刻胶在衬底上形成三位浮雕图形，将图案转移到覆盖在半导体晶面上的感光薄膜层上；而蚀刻是指在光刻胶的掩蔽下，根据需要形成的微图形的膜层，采用不同的蚀刻物质和方法在膜层上进行选择性蚀刻的工艺。相较于后者，光刻技术的发展对电路集成度的提高起了决定性的作用——光刻占用芯片制造的30%成本，是微电子制造过程中最复杂、昂贵、关键的工艺。　　关于生产内存条的工艺流程，可以概括为内存芯片制造与颗粒焊接封装两大部分。内存颗粒的制造与绝大多数芯片制造过程类似。　　首先是将原料沙子（二氧化硅）熔炼提纯为纯硅制成硅单晶锭，并切片，制成晶圆基片。这一项工艺一般不由晶圆代工厂完成而是由相应的晶圆制造商完成。　　&图：石英砂的熔炼与铸造　　&图：切片制成晶圆　　然后，便是掺杂工艺（离子注入），通过固态扩散机制，将衬底材料暴漏在相反型态的杂质中，使原有的本征半导体晶格杂化，遂形成p-n结结构。同样的，在硅晶圆片不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管。　　接下来就是光刻蚀刻电路的工艺了。首先需要在基片表面涂抹光刻胶，用于光刻过程中的光化学反应。一般来说光刻采用紫外光段，除了使用蒙版外还需要借助透镜的光路性质。光刻胶在接受紫外光照射后变得可溶，可以在随后的清洗过程中洗掉。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。　　&图：涂抹光刻胶　　&图：光刻处理　　这个过程是内存颗粒生产过程中最重要的，期间光刻、蚀刻过程会经过多次反复的处理，还要穿插使用等离子冲洗、热处理、气相沉积等工艺，最终使每一个微存储晶体管成型。　　之后是所谓的金属层电镀、生长的工艺。无数的晶体管需要导线相互连起来才能起作用，而在芯片中，仿佛高速公路的多层金属结构起到了这样的作用。　　&图：金属生长　　最后，便是切片（晶圆切割成片，每一片作为一个内存颗粒）、封装、测试流程。这样，一枚良品内存颗粒便生产出来了。　　如何由内存颗粒制成可以直接插在主板上的内存条呢？相较于内存颗粒的生产，内存条的装配所显出的工艺更传统：主要通过表面贴装设备将内存颗粒与内存电路板及其相应的控制模块进行贴合组装，辅以回流焊等工艺。装配好了之后便可以进行最终产品测试。最终封装出货投放市场。　　&图：从内存颗粒到内存条　　（四）这么高精尖的晶圆片，中国能造吗？　　内存的性价比要回归，只能靠国产，而如今，中国正在各个半导体领域切入自己的力量，破除国外垄断，包括CPU微处理器、NAND闪存、OLED屏幕面板等等，DRAM内存也是时候了。　　目前国际上生产内存条的原材料晶圆片量产的最高水平为10纳米，中国企业正在进行18-20纳米晶圆片的研究，虽然与国外尚存在差距，但在政策、资金等支持下，技术的突破也是指日可待的。只要中国具备了18-20纳米的生产能力，相信国产内存条会很快崛起，内存条回归性价比指日可待。　　作为世界上认知度最高的标签，中国制造（Made in China）正寻求战略升级。「了不起的中国制造」专栏，力邀行业权威、资深玩家，呈现他们眼中的中国创新之路。　　投稿请联系newsresearch_，稿件一经刊用，将提供千字800元的稿酬。　　--------------------　　编辑| 史文慧
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已经不是翻倍而是三倍左右了.....十月底，已经快四倍了内存条1年翻了4倍，还在炒房？那你就亏了！我们在翻2倍的时候警惕性太低了，结果让条子翻了4倍，这是我买的条子，日的价格这是今天，同店同产品的价格2016年3月ddr4 才233块一条假如各位去年把房子卖了，全部买成ddr4 8G的内存条，一年半的时间，现在也能买回来2套房了，加上bt币刚过去的那一波，it业总是出奇迹，这也打破了装机业的铁律：早买早享受，后买有折扣，现在是 &早买早享受，后买要跳楼！现实总比小说更精彩，内存条暴涨就是三星卡的脖子，这是一个很坏的例子，要是所有的厂商都这么玩，那屌丝连配机都配不起了，以后给女神修电脑，那是炫富的标志。
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为什么内存条涨价厉害，涨了三倍多快四倍？
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1人关注了此问题价格不断上涨 “疯狂内存条”背后的隐忧
发稿时间： 08:36:00
　　近日，一篇名为《内存的战争，疯狂涨价内存背后的产业故事》的文章在技术圈流传。自去年开始，固态硬盘、内存条及闪存卡等存储产品的价格开始疯涨，一根8GB DDR4内存条已经从2016年上半年的200元左右疯涨到现在的900多元。即便是饱受诟病的房价上涨速度，也无法和内存条的涨价速度相比。
　　涨价背后，是三星、SK海力士等韩国企业的强势上扬。今年第二季度，三星在芯片销售业绩上一举击败美国芯片巨头英特尔。与此同时，韩国另一家企业SK海力士营业利润率也达到45.59%，在韩国30家市值最大的上市公司中位列榜首。
　　韩国企业的高歌猛进，反衬出中国企业在存储芯片领域的黯淡。由于中企在NAND Flash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少数国际大厂，特别是韩国企业所垄断，直接导致存储芯片价格很容易受到垄断企业决策影响。
　　韩国企业在存储芯片领域对老牌大公司的强势“逆袭”再次表明，将“自由竞争”“小政府”奉为“圣经”完全是自欺欺人。自上世纪80年代以来，三星等公司充分利用存储器行业周期性强的特点，以举国体制为筹码，在价格下跌、生产过剩的大环境下，逆势疯狂扩产，通过大规模生产进一步降低产品价格，由此引发价格战造成存储芯片企业普遍亏损。由于三星的体量占据韩国GDP的20%，有足够的资本去亏损，在价格战中处于绝对优势。通过这种方式，三星把曾经占据DRAM市场50%以上份额的日本企业赶下神坛，而三星昔日的竞争对手则大部分破产或被收购。
　　中国在存储芯片领域受制于人的经历是惨痛的。一直以来，西方国家在高科技上对中国严防死守，即便是存储芯片这种技术含量并不算太高的业务，国外政府也对中国严格限制。中资曾经试图收购日本尔必达，紫光也曾经试图收购闪迪和镁光，但这几次尝试都未能如愿。在美国受阻后，紫光集团瞄准韩国，力图投资300亿元人民币收购SK海力士15%-20%股份，然而也遭到对方拒绝。之后，紫光选择了“曲线救国”，通过入股西部数据，然后由西部数据出面收购闪迪，希望以这种方式绕过美国的监管。然而即便如此，这笔交易最终也因为美国外国投资委员会的审查而告吹。
　　前不久，日本东芝因财务问题不得不壮士断腕，出售其麾下的存储芯片业务。虽然在收购过程中，富士康给出的报价远远高于其他竞争对手，但东芝还是将存储芯片业务卖给了贝恩资本。原因就在政治因素。日本政府的经产省官员就曾表示：“东芝公司可以卖给苹果这样的美国公司，但中国公司是不行的”。
　　从过去一系列不成功的收购案例来看，中国资本想要通过海外并购获得存储芯片市场的入场券行不通，在存储芯片的大国之争中，中国必须自立自强，才能实现产业发展不受制于人。（铁流）
责任编辑：赵瑛
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内存条价格为何越涨越高？内存价狂涨18%到新高
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　　()02月06日讯
　　颗粒厂美光对今年DRAM和NAND出货增长的预期并没有转化为市场价格的松动，反之， DRAMeXchange集邦科技送出的最新统计称，DRAM协议价来到了18个月以来的新高。
　　集邦称，进入2017年仅1个月，4Gb DDR4存储芯片的协议价已经上升到了3.347美元，比去年底涨了18%，也就是0.51美元。
　　这只是源头的采购价，一块内存条还要加入控制器、印刷线路板甚至工人工资在内，可想而知。
　　另外，就如美光自己所说，DRAM现在不如NAND行情好，所以他们也在考虑投资力度的倾斜。此举或会加剧今年内存供不应求的局面。
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以前买的6G版GTX元。现在涨到2399了。内存更不用说，涨得更离谱。为什么啊。
窗外就是繁华的世界，但我并不向往
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因为供不应求，内存我估计在2019年之前不会降价
佣兵, 积分 641, 距离下一级还需 109 积分
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因为内存颗粒不足，也有可能是三星控制价格，反正没有新厂商进去玩估计不会降。
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为什么现在内存和显卡都疯狂涨价？？？
因为吃鸡游戏太火了。我这样说你信吗？
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显卡是挖矿 内存是厂家主力生产手机内存去了
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去年双11京东6G版GTX1060只要1500，谁让你不买
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据说铜价疯长………………MB不知道怎么了……我们这种不接触原材料市场的人不明真相
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因为xbx需求量太大
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因为垄断，别人造不出来～
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内存条和显卡暴涨因为内存颗粒暴涨，连带的还有SSD，存储卡什么的，手机行业也受影响。
前段时间内存价钱太低，很多造内存的厂亏到倒闭，所以现在能产能基本就被丧门星等几家大厂的控制了。
其次丧门星去年因为炸弹7的关系亏了好多，现在有定价权了，当然要在内存上赚回来。
所以总结下来，棒子不是东西。
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