二极管的正向导通电阻和反向电阻分别多大?还有什么电子元件的正向电阻和反向电阻不一样大吗
二极管的正向导通电阻和反向电阻分别多大?还有什么电子元件的正向电阻和反向电阻不一样大吗
普通的整流管正向管压降在0.3V左右.你用万用表二极管档位量的是压降,但大部分人都习惯称之为内阻,该档位量普通整流管显示值在400---600之间,反向值无穷大,稳压管除外,高频肖特基管一般在300-90之间.二极管的内阻是变化的.随电压和电流变. 再问： 看网上有人说万用表电压9V，那么是不是可以认为电压是稳定的，那么测得的二极管内阻也是基本稳定的？还有不同二极管的内阻是不是不一样啊？ 再答： 万用表一般用9V叠层电池供电，但打到二极管档位时它输出的不是9V直流，而是脉动的直流。峰值应该在3V以下。不同的二极管的内阻是不一样的，实际应用时基本是考虑管压降，该值与电流时基本成反比的。不同二极管会有不同的电流与管压降的曲线。
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电压表测量电阻?是带电测量吗?带电测量电压,如果是在整流状态,电压为负值是正确的,因为正向时候才零点几伏,反向有几十上百伏,当然是负数了.测量时候,最好断电,拆下来测量.
你要弄清楚两个问题,才能解答这个问题.第一个问题你应该知的,就是二极管的正向导通电阻,它是非线性,通过的电流越大,电阻越小,即与电流成反比.第二个问题是万用表测量电阻的原理.你可以把万用表内部看成是一个1.5V电池和一个电阻串联的电路,（10K档的电池是9V的）.测量的时候,就是把待测电阻和内部的电池电阻串联起来,再用
可以这么认为,研究二极管时分为理想模型,分压模型,折线模型.理想模型是正向导通时无电阻(误差较大).分压模型是二极管正向导通时一直分0.7(硅)伏的压,还有最精确的折线模型,认为正向导通时二极管电阻恒定(实际还是有一点变化的).
0.2的电压不能使二极管正向导通!锗管0.3伏,硅管0.5伏.
问题一的分析正确,不过应把“220*根号（7）”改为“220*根号（2）”；问题二：你的串入输出电路；可能是与滤波电容串联了,极性电容有1.7微安的漏电电流是正常的；若与电解池串联电流肯定不是这个数,从你提供数据看,应接近10毫安. 再问： 电容是并联入输出端的。如果有10mA的话，为什么我没有看到电极有气泡产生呢？我
正向电阻是二极管的体电阻和结电阻之和,其中体电阻小于结电阻,那么正向电阻你可以认为是二极管正向导通时的结电阻,此时外场克服内场,促进多子运动,形成的电流大,我们认为其阻值较小,其一般和二极管的Q值有关.反向电阻其实也是结电阻,其值很大,是因为电压反偏时,内场强度大,阻碍多子的运动,只有少子形成少量的电流.所以认为其反向
二极管的正向电阻在几百--几千欧姆,反向电阻在几百千欧姆越大越好是好的.一般硅二极管的电阻较大,锗二极管的电阻较小.因为二极管具有单向导电性.所以正反向电阻不一样.
你通的是交流电吧 ,交流电的方向在不断地改变,正向导通短路,反向不导通就通过电阻R2,所以有一半时间都是不通的.
正向阻止小 反向阻止大 正反向的阻止相差越大就代表二极管性能越好!因为二极管是半导体器件 特性是：正向导通 反向截止
理想的当然没电阻,不理想的正向导通有0.0.7V压降!反向理想的无穷大,实际的总有点电阻的!
电子技术里面运用二极管就是利用了二极管的特征,就是具有单向导电性,正向电阻越小,导电能力越好,反向电阻越大,导电能力越弱,故.电流能通过时称正向,不能通过时称反向. 再问： 反向电阻越大，导电能力越弱 为什么 再答： 电阻是导体对电流的阻碍作用，电阻越大，阻碍作用越大故电流越小即导电能力越弱。二极管要求的就单向导电性，
正向电阻肯定不等于0,一般的万用表测是几K,（因为电压低电流小）,大电流的话电阻是非常小的,反向倒是无穷大.
确切的说那不叫电阻,应该叫做正向压降,因为当电压低于正向压降时二极管无论正向或反向都是不导通的,只有二极管正向偏置并且电压超过二极管的正向结压降时二极管才会导通,此时二极管流过的电流和二极管两端的电压是非线性的,因此不符合欧姆定律,不能称其为电阻. 再问： 正向压降能具体表述吗？还有为什么我用数字万用表测量电子镇流器，
可以近似算出等效电阻,由DATASHEET可知二极管的典型正向压降及典型反向漏电流,则正向等效电阻约为：应用时的电流/正向压降；反向等效电阻约为：反向电压/漏电流.由计算可知,二极管正向电阻很小（几十欧或以下）,而反向电阻很大（一般都在几百K欧以上）,这两个阻值是动态变化的,与应用环境有关.
C,正常的话,二极管电阻是正向很小,而反向电阻很大.现在都很大,只有一种情况,就是内部断路.如果都很小,就得考虑被击穿了,此时相当于短路.
二极管的正向电阻与反阻差别比较大,可以用万用表来测试正反向电阻来判断管子的好坏,所以答案应该是‘正反向’
保护开关管的电路,限制反峰值,不是普通二极管. 再问： 那是稳压管了吗？
正向导通压降是在管子正向导通的时候,二极管两端的电压,也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压,也就是说,在这个电压以下时,即使是正向的,它也不导通.
S断开时R两端的电压Vr=6V-0.7V=5.3V；当S闭合时,D反向截止,Vr=v2=12V. 再问： 那如果没有那个二极管呢 再答： 如果没有那个二极管，至少会有两种可能：1.当S断开时Vr=V1；2.当S闭合时，这两个理想电源互相短路，Vr=0；事实上，当S闭合时，如果这两个电源是大容量蓄电池的话不是烧线就是烧开查看: 1264|回复: 5
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本帖最后由 cansorrow 于
14:51 编辑
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那并联电阻就是二极管的反向电阻？
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不是，可以理解为反向
埚底料, 积分 -23, 距离下一级还需 23 积分
好贴，学习了
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体电阻对等效电路中的串联电阻产生贡献。并联电阻是由一些孔洞、不均匀性带来的漏电机制导致二极管有电阻吗，怎么测电阻_百度知道
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二极管有电阻吗，怎么测电阻
二极管有电阻。由于二极管是非线性器件，其电阻还分正向电阻和反向两大类，测量方法也不尽相同。正向电阻可用万用电表检测。数字万用电表采用专用二极管检测当检测，检测数值一般为几百欧姆。指针式万用电表采用电阻档检测，使用不同的电阻档有不同的阻值，其原因是二极管的的转向电阻值和通过的电流有关，电流越大阻值越小，所以指针式万用表测二极管的正向电阻范围可以有十几Ω到几KΩ之间变化。反向电阻相当大，普通的万用表测不出，需要要专门的晶体管图示仪检测计算所得。
注意：用万用表判断二极管的好坏时，选用万用表的“欧姆”挡。一般用R x100或R xlk挡二极管有电阻，但二极管的电阻最好不要用万用表的电阻档测量.测量方法：将两表棒分别接在二极管的两个电极上，读出测量的阻值；然后将表棒对换再测量一次，记下第二次阻值。硅管约0.7V的压降，锗管约0，因为二极管的导通电阻与施加在二极管上的电压有关系。也就是说二极管的电阻是个不定值。现在直接用数字万用表的二极管档就结了.3V的压降。若两次阻值相差很大，而不用Rx1或R x10k挡。因为Rxl挡的电流太大，容易烧坏二极管，R xlok挡的内电源电压太大，易击穿二极管
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//www.big-bit、箔位、限幅和作开关用等二极管有单向导电性,然后把数字万用表打到二极管档、整流、稳压二极管作用：检波，用表笔测量二极管任意两端，其中一组读数为600欧左右，而另一组为无穷大说明此管为好管反之为坏管
二极管的相关知识
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体电阻就是二极管（PIN结）的正向电阻吗
体电阻就是二极管（PIN结）的正向电阻吗
和&普通二极管&quot　　&PIN型二极管&quot，反偏时阻值大，接近于开路。因此PIN 二极对微波不产生非线性整流作用，这是和一般二极管的根本区别，所以它很适合于做微波控制器件。由于PIN 二极I层的总电荷主要由偏置电流产生;。正因为有本征层的存在，用作RF 开关和RF保护电路也有用作光电二极管，所以其对微波只呈现一个线性电阻，接近于短路。&的不同之处;PIN 二极管&包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。　　PIN 二极管的直流伏安特性和PN结二极管是一样的，但是在微波频段却有根本的差别：　　普通的二极管是由PN结组成。而不是由微波电流瞬时值产生。在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征半导体层，组成的这种P-I-N结构的二极管就是&PIN 二极管&quot。此阻值由直流偏置决定，正偏时阻值小，所以PIN 二极管应用很广泛，从低频到高频的应用都有，主要用在RF领域。有很多种类的想了解更加详细的技术参数的话百度搜硬之城去那里了解下，好过自己在这里瞎琢磨专业的地方解决专业的问题
热心网友 5-25 14:15
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快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间...
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间...二极管正反电阻差异如此大,其物理原理是什么
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简单来说：正向测时，二极管导通，有电压和电流，电阻可知。反向时，二极管关断，有电压，电流为0，所以电阻接近无穷大。
是缘于它的PN结(阻挡层)特性!即该阻挡层对电场极性的反应变化!
从理论上说其实PN结的电阻在无极静态时是相同的!它只是在加上不同极性电场时的反应不同罢了
在二极管中有一个PN结，它是载流子扩散后形成的，这个结形成后会建立一个反向电场。
该电场的方向从P指向N，相当于二极管的阴极指向阳极。
当正向测量时(正极接
SD的型号叫做B0520LW， 封装SOD-123
SG的型号是SD107WS
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