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三极管k3116参数 用3DD15D管做自激机、麻烦把
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题目：三极管参数的选取方法参考：&&&&&&&&看你用三极管干吗用了,根据你的用途来选择,你做FM调频发射器,那么一定用FT高的三极管,就是频率特性高的.如果需要大开关电流的,那么一定要额定电流大的,另外还有特基三极管等等众多型号特性,所以选择三极管器件不是那么容易的,你手头至少有个器件参数手册,按照那里标注的型号格来选用.如果该型号已经停产或没货,必然有参数更高的替换.你试下.还有,这个问题是技术问题，不应该在书画美术分类里.
问题：用3DD15D管做自激机、麻烦把变压器的参数、绕法
回答：网上有噢 类似问题：但我用3DD15D的电路图做不出单管自激,三极管是 左右各有10个三极管共20个(3dd15d)的逆变器电路图 变压器式捕鱼器,我该如何安装?我用的是3DD15D的三极管 三极管功放电路图,简单一点的,最好是用3DD15D的,或者 10个3dd15d管并联,驱动电流要多大?用什么驱动? 可是问题不断,烦了。我用两个3dd15d三极管,次级用0. 有没有买三极管3dd15d的 2N3904可以和3DD15D互换吗...
问题：功放上两个三极管是A怎么知道它的功率是
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问题：三极管标注S8550数字的这面面对自己的脸,左边的是集电极还是回答：左起,EBC 类似问题：三极管s8550是pnp还是npn型以及引脚的各个的极性 三极管s8050和s8550的区别? 哪位师兄知道S8550三极管管脚怎么排的? 怎样才能把S8550的三极管换成S8050的,,,,,,,,, 为什么我的三极管高低电平都导通啊?S8550的三极管 三极管s8550 贴片8550PNP型三极管的引脚 三极管c8050和s8550是对管吗 三极管s8550和s8550d的区别?... 问题：用的是5V ,没加三极管的时候,LED亮度很小,所以要加三极管回答：NE555产生触发波形给4017。 4017每收到一个波形,输出移动一个。你要用到5个输出。 1-3分别串联一个电阻后对应一个管的基极(NPN), 第4个输出,串联一个电阻后控制一个PNP的三极管基极。PNP管集电极接地,发射极上拉电阻到5V。发射极接一个二极管(正向)到其它三个三极管的基极。 第5个输出,接到4017的复位引脚。 原...... 问题：节能灯中的三极管E13003E
回答：有字面向自己,管脚向下,中间基极,左e ,右C 类似问题：问S13003是什么类型的管?它的好坏怎么判断? 13001三极管有什么用?如何区别它的各个极和用万用表如何 如何判断三极管13003的性能好坏 开关管13003怎么判断好坏。急,谢谢各位了! 怎样测量13003三极管的好坏啊?
问题：用3DD15D三极管做逆变器时放大倍数是多少
回答：你好:——★1、3DD15D三极管在一般的逆变器中,在开关状态,不能用放大倍数来考量。——★2、使用3DD15D三极管的逆变器,它的“最大电流”与负载有关。——★3、逆变器可以为电脑供电,也可以看电的,更可以为电子节能灯供电的。 类似问题：用3DD15D替3DD303A 玉米的高秆(D)对矮秆(d)为显性,茎秆紫色对茎秆绿色 谁给几个好空间模块 逆变器的开关管除了3DD15D,207之外还能用什...
问题：各位师傅：我想用三极管和高频变压器构成自激
回答：...路板，不过得稍加改造，详见我的空间，如果要做大电流的，可以把节能灯的电路照抄下来，三极管和限流电阻什么的都得换成大电流的。 user.qzone. //infocenter 里面有一个是改成开关电源，其实和你要做的东西差不多，你可以参考一下。 类似问题：如何功率放大器 那位有场效应管和变压器组成的自激振荡电路嘛。谢谢 想做个低频逆变器,自激机,电源48伏,用什...
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回答：...S SETUP是否丢失了硬盘配置。测量主板上S
RAM电路是否为电池有故障，或元器件(如二极管、三极管、电阻、电容等)损坏能原因而CMOS中的硬盘配置参数出错。①首先CMOS SETUP是否丢失了硬盘配置。测量主板上S
RAM电路是否为电池有故障，或元器件(如二极管、三极管、电阻、电容等)损坏能原因而CMOS中的硬盘配置参数出错。②通过加电自测，若屏幕显示错误1701或Ha...
问题：multisim10元件库介绍
回答：...可控电流源、函数控制器件6个类。 2。BASIC库：包含基础元件，如电阻、电容、电感、二极管、三极管、开关等； 3。Diodes：二极管库，包含普通二极管、齐纳二极管、二极管桥、变容二极管、PIN二极管、发光二极管等。 4。Transisitor库：三极管库，包含NPN、PNP、达林顿管、IGBT、MOS管、场效应管、可控硅等； 5。Analog库：模拟器件库，包括运放、滤波器、比较器、模拟开关等模拟...
问题：WDZYJFE型号电缆是什么意思
回答：...拍照,不是专 奶嘴型号是否好换 铃宝典发动机型号是什么铃汽车问答 13001是什么型号三极管13001是什么型号的三极管,cbe是 大蜂战机是什么型号? 电暖气里面加的是什么型号的导热油?应加入暖气体积的几分 潜艇这是什么型号的? 怎么查看电脑声卡是什么型号的?大家好:我的电脑重装拉
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问题：人触碰电蚊拍的后果和电蚊拍的原理回答：电蚊拍电路是三极管与高频变压组成自激振荡器,并通过三极管的开关特性将直流电转变为脉冲电流供高频变压器升压,输出端组成三倍压整流电路输出电压约1500V附近,电压高小电流,蚊子在拍网间就会被电击,人触碰也被电击一跳,但没危害的。 类似问题：为什么电蚊拍输出电压那么大,人碰触网面却不会把人击穿? 用雅格电蚊拍拍人...... 问题：谁能把互补型自激多谐振荡电路原理解释清楚
回答：...身间的反馈使这二只管子间歇导通或截止而达到振荡的目的。 类似问题：有 6V蓄电池 电源 用三极管多谐震荡电路 输出 12V 交流电 怎 简述其原理?如何计算电路中多谐振荡器的振荡频率? 555多谐振荡电路设计救护车响铃的原理? 求元件最少的自激多谐振荡器电路图 这个多谐振荡器电路图能不能把三极管换成1815? 无稳态多谐振荡电路驱动变压器电路图 多谐振荡器电路后...
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开关三极管具有放大能力吗？
开关三极管具有放大能力。三极管的电流放大原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 图1、晶体三极管（NPN）的结构 图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。 二、三极管的特性曲线 1、输入特性图2 （b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce 有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。3）三极管输入电阻，定义为:rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其估算公式为：rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。2、输出特性输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图2（C）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。截止区 当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是：Icbo=(1+β)Icbo常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。 图2、三极管的输入特性与输出特性 截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，三极管和导通时，工作点落在饱和区，三极管截止时，工作点落在截止区。 三、三极管的主要参数 1、直流参数（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。（4）直流电流放大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：β1=Ic/Ib2、交流参数（1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即：β= △Ic/△Ib一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。（2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即：α=△Ic/△Ie因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用α与β之间的关系：α= β/（1+β）β= α/（1-α）≈1/（1-α）（3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。3、极限参数（1）集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。（2）集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。（3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。（4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。（5）集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc＜PCM。PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM。
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开关管和普通管区别是开关管的pn结的厚度比普通管要薄，两个PN结均为反偏?开关三极管和普通三极管一样也有放大能力.普通三极管也能做开关管朋友问的是开关三极管还是三极管工作在开关状态啊。三极管呈现低阻抗. 截止和导通延迟时间小。 3）． 饱和状态 ，集电结反偏。三极管工作在开关状态下一定就是饱和状态,iC≈0，发射结正偏;RβRc ，类似于开关断开，类似于开关接通,uCE≈UCC,此时iC=ICS(集电极饱和电流)≈UCC&#47： uB＞0. 1）． 截止状态 ，iB≥IBS(基极临界饱和电流)≈UCC&#47.效果没有开关三极管好： uB＞0，两个PN结均为正偏，iC=βiB，iB≈0.三极管有三种状态。 2）． 放大状态 ,结电容要小。三极管呈现高阻抗： uB＜0
其他1条回答
就相当于把很小的电流放大到开关控制的电流这么大了具有放大能力,做开关管使用时,而且电流放大倍数很高
开关三极管的相关知识
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嵌入式（88）
负载被直接跨接于三极管的集电极与电源之间，而位居三极管主电流的回路上，输入电压Vin则控制三极管开关的开启(open) 与闭合(closed) 动作，当三极管呈开启状态时，负载电流便被阻断，反之，当三极管呈闭合状态时，电流便可以流通。　　详细的说，当Vin为低电压时，由于基极没有电流，因此集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没有电流，而相当于开关的开启，此时三极管乃工作于截止(cut
off)区。　　同理，当Vin为高电压时，由于有基极电流流动，因此使集电极流过更大的放大电流，因此负载回路便被导通，而相当于开关的闭合，此时三极管乃工作于饱和区(saturation)。
关于晶体三极管的开关饱和区，MOS管的饱和区就是晶体管的放大区。
晶体三极管的放大是电流关系的放大，即Ic=B*Ib
而MOS管的放大倍数是Ic=B*Ugs,与g、s两端的电压有关系
MOS管的放大倍数比较大，稳定。
2.基极电阻的选取
（1）首先判断三极管的工作状态，是放大区（增大驱动电流）还是饱和区（开关作用）
（2）若工作在放大区，根据集电极负载的参数，计算出集电极的电流，之后根据三级管的放大特性计算出基极电流，再根据电流值计算出电阻。
（3）若工作在饱和区，
以NPN管为例大致计算一下典型3元件开关电路的选值：
设晶体管的直流放大系数为100，Ib＝（驱动电压－0.7Vbe结压降）/Rb，Vce＝Vcc－100Ib×Rc，令Vce＝0，由此可算出临界值（饱和区与放大区的临界），只要Rb小于临界值即可，但其最小值受器件Ib容限限制，切勿超过。
3.补偿电容电路图
一般线性工作的放大器(即引入负反馈的放大电路)的输入寄生电容Cs会影响电路的稳定性，其补偿措施见图。放大器的输入端一般存在约几皮法的寄生电容Cs，其频带的上限频率约为：
&& ωh=1／(2πRfCs)
　　为了保持放大电路的电压放大倍数较高，更通用的方法是在Rf上并接一个补偿电容Cf，使RinCf网络与RfCs网络构成相位补偿。RinCf将引起输出电压相位超前，由于不能准确知道Cs的值，所以相位超前量与滞后量不可能得到完全补偿，一般是采用可变电容Cf，用实验和调整Cf的方法使附加相移最小。若Rf=10kΩ,Cf的典型值丝边3～10pF。对于电压跟随器而言，其Cf值可以稍大一些。
3.运放电源旁路电容
旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除，去藕是为保证输出端的稳定输出
每个的电源引线，一般都应采用去偶旁路措施，如图所示图中的高频旁路电容，通常可选用高频性能优良的陶瓷电容，其值约为0.1μF。或采用lμF的钽电容。这些电容的内电感值都较小。在运放的高速应用时，旁路电容C1和C2应接到集成运放的电源引脚上，引线尽量短，这样可以形成低电感接地回路。&&&&&&&
注：当所使用的放大器的增益带宽乘积大于10MHz时，应采用更严格的高频旁路措施，此时应选用射频旁路电容，对于通用集成芯片，对旁路的要求不高，但也不能忽视，通常最好每4～5个器件加一套旁路电容。不论所用集成电路器件有多少，每个印刷板都要至少加一套旁路电容。
在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下：
& ●电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。
& ●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。
& ●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。
& ●去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。
在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下：
& ●电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。
& ●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。
& ●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。
& ●去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下：
& ●电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。
& ●为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。
& ●对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。
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