Trench肖特基方面华微电子官网的发展怎么样

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-12-03 02:29 标签： 华微电子官网

华微电子官网已经逐渐具备向客戶提供整体解决方案的能力产品涵盖IGBT、MOSFET、SBD、FRD、SCR、BJT等，生产能力方面也很强每年400万片，封装资源为24亿只/年模块1800万块/年。

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华微电子官网是从什么时候开始开始规划生产高性能功率器件的？

该楼层疑似违规已被系统折叠 

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早在2016年的时候，华微电子官网便开始规划生产高性能功率器件包含超结MOSFET、 CCTMOSFET、Trench FS IGBT、超高压快恢复二极管、Trench肖特基产品和大功率IGBT模块等。


过去三十年来,集成电路迅猛发展嘚基础来自构成电路的功能元件MOSFET的尺寸不断缩小,通过减小特征尺寸(通常为MOSFET栅长),使得每个芯片上的电路元件增加,目前已可以制备出性能非常優越的小尺寸(栅长0.1μm)的MOSFET然而,按比例缩小的方法存在着物理极限,这既有材料特性的因素,也与MOSFET的基本工作原理有关。随着尺寸的减小,器件的各边缘彼此靠近,将出现短沟道效应和窄沟道效应不考虑制作上的难度,由于这些效应的影响,预计常规MOSFET的有效沟道长度将大于～70nm。为克服短溝效应,通常可以采用高掺杂衬底,沟道掺杂和减薄栅氧化层厚度等方法以减小漏源结深和耗尽区向栅下的延伸例如,采用固态扩散的方法制備成超短结深、栅

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