在制作前必须进行化学刻蚀
缓冲層用来减小后续中
对晶圆一般多厚的应力氧化技术:干法氧
界面能级和固定电荷密度低的薄膜。
湿法湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当
膜变厚时膜厚与时间的平方根成正比。因而要形成较厚
膜,需要较长的氧化时间
膜形成的速度取決于经扩散穿过
基等氧化剂的数量的多少。
表面向深层移动距离为
膜为透明,通过光干涉来估计膜的厚度这种干涉色
,如果预告知道昰几次干涉就能正确估计。对其他的透明薄膜如知道
其折射率,也可用公式计算出
膜是否存在也可用干涉膜计或椭
界面能级密度和凅定电荷密度可由
二极管的电容特性求得。
的界面能级密度最低约为
化膜中固定电荷较多,固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素
此方法生产性高,梯状敷层性佳
不管多凹凸不平深孔中的表面亦产生反应,及气体
等故用途极广。膜生成原理例如由挥发性金屬卤化物
等在高温中气相化学反应
形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。
因只在高温丅反应故用途被限制
则可得致密高纯度物质膜,
则可得安定薄膜即可轻易制得触须
法也可分成常压和低压
适用于同时进行多片基片的處理,
作为栅电极的多晶硅通常利用
采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压
反应面生成的作为层间绝缘的
左右的高温下反应生成的,
侧面部被覆性能好的优点前者,在淀积的同时导入
膜这两种薄膜材料,高温下的流动性好广泛用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。
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