三极管输出特性曲线随温度升高晶体管输入特性曲线而上移,且间距随温度升高晶体管输入特性曲线而减小,对吗

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随着温度的升高三极管的工作效用越高。三极管全称應为半导体三极管也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,吔用作无触点开关

三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两個相距很近的PN结两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种

1、发射区向基区發射电子:电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie同時基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是電子流

2、基区中电子的扩散与复合:电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下促使电孓流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合,扩散嘚电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力

3、集电区收集电子:由于集电结外加反向电压很大,这个反向电压产生的电场力將阻止集电区电子向基区扩散同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也會产生漂移运动流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示其数值很小,但对温度却异常敏感

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毕业于江苏大學交通工程专业。现任江苏镇江寰泽教育机构顾问


1、温度对放大倍数β的影响: 

(1)对放大倍数β的影响:

三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.5~1%其结果是在相同的IB情况下,集电极电流IC随温度上升而增大

(2)对反向饱和电流ICEO的影响:

ICEO是由少數载流子漂移运动形成的,它与环境温度关系很大ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小所以,温度对矽管ICEO的影响不大

(3)对发射结电压ube的影响:

和二极管的正向特性一样,温度上升1℃ube将下降2~2.5mV。

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