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V60100C-E3/4W | Vishay V60100C-E3/4W 肖特基 二极管, Io=60A, Vrev=100V, 3引脚 TO-220AB封装 | Vishay
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V60100C-E3/4W
Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。
专利 Trench 结构提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率高功率密度和低正向电压
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最大连续正向电流60A
二极管配置共阴极
每片芯片元件数目2
峰值反向重复电压100V
安装类型通孔
封装类型TO-220AB
二极管类型肖特基
最大正向电压降790mV
长度10.54mm
高度15.32mm
最低工作温度-40 °C
最高工作温度+150 °C
峰值非重复正向浪涌电流320A
峰值反向电流20mA
尺寸10.54 x 4.7 x 15.32mm
20 现货库存,可于5工作日发货。网上下单,免运费。
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Vishay V60100C-E3/4W 肖特基 二极管, Io=60A, Vrev=100V, 3引脚 TO-220AB封装
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Vishay V60100C-E3/4W 肖特基 二极管, Io=60A, Vrev=100V, 3引脚 TO-220AB封装
V60100C-E3/4W
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什么是行业标准包装?
随时可以直接上机的以卷盘或管状包装的产品。为您减少浪费并提高生产效率。
本声明确认:下述产品符合当前RS媒体中发表的规范并通过RS Components 内部管理系统制定的严格的质量条件检测。此外,本声明确认:所有相关半导体设备的处理和包装条件符合ANSI/ESD S20.20 和EN静电标准的行政和技术要求。
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Vishay V60100C-E3/4W 肖特基 二极管, Io=60A, Vrev=100V, 3引脚 TO-220AB封装
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V60100C-E3/4W
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欧时电子元件(上海)有限公司
Oct 1, 2017
欧时电子元件(上海)有限公司, 上海市黄浦区延安东路618号东海商业中心二期23楼 200001
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Vishay新型TrenchMOS肖特基势垒整流器具有0.70V最低正向压降
VishayIntertechnology推出一款新型TrenchMOS肖特基势垒(TMBS")整流器,其正向电压是迄今为止此类器件中最低的。新型V60100C采用共阴极30AX2配置,其额定电流及额定电压分别为60A及100V,该器件在30A及125
  Vishay Intertechnology推出一款新型 Trench MOS 肖特基势垒 (TMBS") 整流器,其正向电压是迄今为止此类器件中最低的。     新型 V60100C 采用共阴极 30A X 2 配置,其额定电流及额定电压分别为 60A 及 100V,该器件在 30A 及 125
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