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宝坻区 未抛光翡翠怎么看种水
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宝坻区 未抛光翡翠怎么看种水
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& & & & 翡翠是一种硬玉，自古以来，翡翠一直是最受人们喜爱的珠宝之一，古语云：山有玉而草木润，人藏玉则万事兴。翡翠的绿色与红色象征幸福与兴旺。人们佩戴翡翠饰物，可以防身避祸，祛病延年。赠送和佩戴翡翠饰物，预示着对爱情的忠贞。优质翡翠是当今世界价格昂贵的宝石品种。翡翠的颜色丰富多彩。它原产地很少，其中缅甸产量高，品质好，所以翡翠也被称为“缅甸玉”。翡翠有一种让人无法自拔的美学，即使岁月如何侵袭，都不能改变翡翠的内在之美，俗话说金银有价玉无价，翡翠是国人手中的宝，更是心中的魂。
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& &产品展示买真翡翠~找万象翡翠加工厂~微信：宝坻区 未抛光翡翠怎么看种水：深圳瀚唐国际是一个集艺术品甄选、评估、展览展示、贸易、服务为一体的综合性公司。本集团秉持公平、公正、公开的原则，以诚信、守信、共赢为本，针对广大客户建立一个新的，较安全可靠的交易平台。添加号：免费鉴定翡翠，学习翡翠知识，现在加入即可给您带来不一样的惊喜.并提供翡翠在线批发零售,翡翠鉴定保养收藏知识等相关翡翠专业服务。三益玉堂拥有众多的红翡翠大家不妨来参考一下。或许有一款适合你的红翡翠正在等你呢。翡翠宣传图片，是一款其他素材源文件素材，文件格式为，源文件大小为。翡翠也是如此的神秘莫测，每一件作品，都让人回味无穷，不到最后，永远不知道玉雕大师们是如何设想的，作品是多么多么的惊艳、美丽。原石的外观，看到蹭口了吗？重重的石性，本来这种石头我是不碰的。直到看到开窗，再加上中四的价格，抵挡不住诱惑，然后就没有然后了.......
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&（图片来源：博宝宝珍商城）基本属性藏品名称藏品货号藏品价格￥31800.00藏品类别翡翠挂件藏品尺寸尺寸:5.05-2.7-0.9CM上架时间藏品特征浏览次数269是否真迹真迹藏品藏品描述数据来源博宝艺术网 博宝宝珍商城 () /goods-200721.html联系方式010-有关 天然翡翠挂件 作品 价格及图片 参考行情 藏品图片详细信息
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Ｅｑ黑烹玉。黑纛勰熏衄
由实验结果可知，无论是采用酸性抛光液，还是碱性抛光液进行ＣＭＰ抛光，（０００．１）Ｃ面抛光材料去除率Ｖｃ（Ｖｃ碱＝０．４－－０．６ｉ山ｒｎ／ｈ，Ｖｃ艘＝１．４～
ｗｍ／ｈ）总是大于（０００１）Ｓｉ面的材料去除速率
ｔｘｍ／ｈ）。
ｙＳｉ（ｙ＆碱＝０．１斗ｍ／ｈ以下，Ｖｓｉ酸＝０．２～０．３
目前还未有相关文献对这个现象作深入的研究，作者将引入Ｂ．Ｈｏｍｅｔｚ等人对器件制作氧化工艺ＳｉＣ氧化行为进行研究得出的一些结论［７１来解释这个现象。Ｂ．Ｈｏｒｎｅｔｚ等人认为，在相同的氧化条件下，ＳｉＣ的（０００—１）Ｃ面的氧化速度远比（０００１）Ｓｉ氧化速度快，是因为在ＳｉＣ氧化成Ｓｉ０：过程中，ＳｉＣ原子层与ＳｉＯ：原子层之问存在着一个过
Ｂ１组实验ＡＦＭ检测图
渡原子层Ｓｉ。Ｃ牟）（Ｏ：（ｘ≤２），这层过渡层能阻止ＳｉＣ被氧化为ＳｉＯ：，从而降低ＳｉＣ的氧化速率。在（０００１）Ｓｉ面中，这层过渡层厚约１ｎｍ，而在（ｏｏｏ．１）Ｃ面中过渡层更薄，这也导致了Ｃ面有更快的氧化速度。一种基于热力学的观点认为，尽管ＳｉＣ的化学惰性高，稳定性好，在常温下基本不与其它任何物质反应，但在ＣＭＰ工艺过程中，抛光垫与ＳｉＣ晶体表面的粗糙峰（ａｓｐｅｒｉｔｉｅｓ）摩擦使得晶体表面微观接触区域处于局部高温高压状态，促使晶片表面发生化学反应形成一层Ｓｉ０：软质层［８］。作者推断，在ＣＭＰ工艺过程中，晶片局部的高温高压状态下的氧化机制与Ｂ．Ｈｏｒｎｅｔｚ等人提出的氧化机制类似，即ＳｉＣ氧化成ＳｉＯ：过程中，
图９Ｂ２组实验ＡＦＭ检测图
ＳｉＣ原子层与ＳｉＯ：原子层之间存在着一个过渡原
子层，这层原子层的厚度最终决定了（０００１）Ｓｉ面
度值Ｒａ为１．９８ｎｍ（见图６）；Ａ２组实验用ｐＨ值为
和（０００—１）Ｃ面的氧化速度，也就决定了ＣＭＰ抛光材料的去除速率。在（０００—１）Ｃ面中过渡层更薄，使得Ｃ面有更快的氧化速度，也就意味着在相同的抛光液和抛光参数下，Ｃ面总是比Ｓｉ面有更高的材料去除速率，即ｙ。＞ｙ踊。
由实验结果可知，无论是对于硅面还是对于碳面，使用酸性抛光液的ＣＭＰ工艺其材料去除速率均大于使用碱性抛光液的速率，即对于Ｃ面而言，有Ｖｃ艘＞Ｖｃ碱；对于Ｓｉ面而言，有ｙｓｉ酸＞ｙｓｉ碱。实验中我们测定，商用硅溶胶抛光液氧化还原电位值（ＯＲＰ值）为９６ｍＶ，经改性的酸性抛光液ＯＲＰ值为１
１的抛光液抛光（ｏ００１）Ｓｉ面，去除速率ｙ。。簸在
０．２～０．３ｌＬＬｒｎ／ｈ，强光灯和微分干涉显微镜检测未见
抛光缺陷（见图５），ＡＦＭ检测表面平整，粗糙度值Ｒａ为０．２３２ｎｌｎ（见图７）；Ｂ１组实验用ｐＨ值为１０．３８抛光液抛光（０００—１）Ｃ面，去除速率ｙ。碱在
０．４～０．６ｉ出ｍ／ｈ，强光灯和微分干涉显微镜检测未见
抛光缺陷（见图５），ＡＦＭ检测表面较平整但有轻微划痕，粗糙度值Ｒａ为Ｏ．２９０ｎｍ（见图８）；Ｂ２组实验用ｐＨ值为１．１１抛光液抛光（０００—１）Ｃ面，去除速率ｙ。酶在１．４～２．２ｉ山ｍ／ｈ，强光灯和微分干涉显微镜检测未见抛光缺陷（见图５），ＡＦＭ检测表面光滑，粗糙度值Ｒａ为０．１７３ｎｍ（见图９）。
ｍＶ，而碱性为４５０ｍＶ，显然，相对而言酸
性抛光液有更强的综合氧化能力，也就意味着有更
发现异常。
电子工业专用设备
Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ
ｆｏｒ——Ｅｌｅｃ—ｔ—ｒｏｎｉｃ——Ｐｒｏ——ｄｕｃ—ｔｓ—Ｍａ——ｎｕｆａ——ｃｔｕｒｉ—ｎ—ｇ
材料制备工艺与设备
ｐｏｌｉｓｈｅｄ
高的ＣＭＰ工艺材料去除速率。
最后分析晶片表面的质量。我们只在Ａｌ组实验部分晶片发现了较严重的划痕（见图４、图６），原因应当为ｙ筠碱值较小，未能将损伤层彻底去除。同时在Ｂ１组实验小部分晶片发现轻微划痕（见图８），原因应当为ＣＭＰ工艺过程中机械作用力大于化学作用力引起。其它实验组表面质量未
ｓｕｒｆａｃｅ［Ｊ］．Ｔｅｃｈｎｉｃａｌｆｅａｍｒｅ，２００２，１５（４）：４６—４７．
Ｊ．Ｑ．Ｌｉｕ，ｅ．ｋ．Ｓａｎｃｈｅｚ，ｍ．Ｓｋｏｗｒｏｎｓｋｉ．Ｓｕｒｆａｃｅ—Ｄａｍａｇｅ—
ＩｎｄｕｃｅｄＴｈｒｅａｄｉｎｇＤｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｉｎ６Ｈ—ＳｉＣＬａｙｅｒｓＧｒｏｗｎｂｙＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒ
ｔｒａｎｓｐｏｒｔ［Ｊ］．Ｊ．ｅｌｅｃｔｒｏｎｃｈｅｍｉ．Ｓｏｃ，
２００３，１５０（３）：２２３—２２７．
［４］Ｘｉｕ－Ｆａｎｇ
Ｃｈｅｎ，Ｘｉａｎ－Ｇａｎｇ
Ｘｕ，Ｘｉａｏ—ＢｏＨｕ，ｅｔｃ．
Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙｏｆｃｈｅｍｉｃａｌｍｅｃｈａｎｉｃａｌｃａｒｂｉｄｅ
ｐｏｌｉｓｈｉｎｇｉｎｓｉｌｉｃｏｎ
ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ【Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ．
２００７，Ｂｆ１４２）：２８—３０．
［５］ＨｉｄｅｏＡｉｄａ，ＴｏｓｈｉｒｏＤｏｉ，ＨｉｄｅｔｏｓｈｉＴａｋｅｄａ，ｅｔｃ．Ｕｌｔｒａ
综上所述，在利用酸性和碱性改性硅溶胶对碳
ｐｒｅｃｉｓｉｏｎＣＭＰｆｏｒｓａｐｐｈｉｒｅ，ＧａＮ，ａｎｄＳｉＣｆｏｒａｄｖａｎｃｅｄ
ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ【Ｊ］．Ｃｕｒｒｅｎｔ
ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ．２０１２，１：１－６．
［６］ｈｔｔｐ：／／ｂａｉｋｅ．ｂａｉｄｕ．ｃｏｒｎ／ｖｉｅｗ／１２２０５２８．ｈｔｍ［７】
Ｂ．Ｈｏｒｎｅｔｚ，Ｈ．Ｊ．Ｍｉｃｈｅｌ，ａｎｄＪ．Ｈａｌｂｒｉｔｔｅｒ．Ｏｘｉｄａｔｉｏｎａｎｄ
６Ｈ—ＳｉＣ—Ｓｉ０２
化硅衬底进行ＣＭＰ抛光过程中，我们有以下的结
论：采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光，分别都有ｙｃ＞ＶＳｉ：对于（０００１）Ｓｉ面进行抛光，有Ｖｓｉ酸＞
ｙＳｉ碱。对于（ｏｏｏ一１）Ｃ面进行抛光，有ｙｃ酸＞Ｖｃ碱；这
ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ＆Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ．１９９５，Ａ
ｏｆＭａ—
ｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ，ａｎｄ７６９—７７１．
１３（３）：
ＪｉａｎｇＭ，ＷｏｏｄＮ０，ＫｏｍａｎｄｕｒｉＲ．Ｏｎｃｈｅｍｏ—ｍｅｃｈａｎｉ—ｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ（ＣＭＰ）ｏｆｓｉｌｉｃｏｎｎｉｔｒｉｄｅ（Ｓｉ３Ｎ４）ｗｏｒｋｔｅｒｉａｌｗｉｔｈｖａｒｉｏｕｓ
几个结果对于摸索获得表面完美Ｓｉ面和Ｃ面的ＣＭＰ工艺有重要的意义。
ａｂｒａｓｉｖｅｓ［Ｊ］．Ｗｅａｒ，１９９８，２２０：５９—７１．
—Ｓ止．址．Ｓ屯．址—址—址—Ｓ止．址．址业．Ｓ屯．址．Ｓ止．址“—Ｓ止“．址．Ｓ止．Ｓ止．Ｓ屯舢
参考文献：
作者简介：
潘章杰（１９８６．），男，广西人，学士，工程
Ｙａｓｓｅｅｎ
ＡＡ，ＺｏｒｍａｎＣＡ，Ｍｅｈｒｅｇａｎｙ．ＲｏｕｇｈｎｅｓｓＲｅ—师，现从事碳化硅晶体材料加工技术的研
究和开发。
ｄｕｃｔｉｏｎｏｆ３Ｃ?－ＳｉＣＳｕｒｆａｃｅｓＵｓｉｎｇＳｉＣ－－ＢａｓｅｄＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ
Ｓｌｕｒｒｉｅｓ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆｔｈｅＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ冯玢（１９６０一），男，天津人，学士，高级工程师，现从事碳化硅和蓝宝石晶体材料加
Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９９，１４６（１）：３２７—３３０．
Ｐ．Ｖｉｃｅｎｔｅ，Ｄ．Ｃｈａｕｓｓｅｎｄｅ．Ｓｉｎｇｌｅａｔｏｍｉｃｓｔｅｐｓ
工技术的研究和开发。
．址ｊ止．址姐．Ｓｔ．址．址挑．Ｓ屯．址．址—Ｓ止．址．Ｓ‘．Ｓ屯．Ｓ止．址址．Ｓ止．驰．Ｓ止．址．址ｊ止．乒Ｌ．Ｓ屯—Ｓ屯．ｊ止．驰．．址．Ｓ也．Ｓ屯．址．Ｓ屯．址．址龇．址．挑—址．—Ｓｔ．Ｓ屯．Ｓ止．址业
（上接第８页）
４００４４００－ｅｌｅｍｅｎｔｉｍａｇｅｒ
Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ
３－ｄＢＢａｎｄｗｉｄｔｈｏｆ４９
ＧＨｚ【Ｊ】．ＩＥＥＥ
ａｒｒａｙｓ［Ｊ］．ＩＥＥＥ
ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ
Ｐｈｏｔｏｎ．Ｔｅｃｈｎ０１．Ｌｅｔｔ．，２００９，２１（１３）：９２０—９２２．
［６０］Ｊ．Ｏｓｍｏｎｄ，Ｌ．Ｖｉｖｉｅｎ，Ｊ．Ｆ６ｄ６１ｉ，ｅｔａ１．４０Ｇｂ／ｓｓｕｒｆａｃｅ—
ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄＧｅ—ｏｎ—Ｓｉ
Ｌｅｔ＊．，１９９１，１２（６）：２９３—２９６．
［５６］Ｓ．Ｌｕｒｙｉ，Ａ．Ｋａｓｔａｌｓｋｙ，ａｎｄＪ．Ｂｅａｎ．Ｎｅｗｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃ—
ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ［Ｊ］Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，
ｓｉｌｉｃｏｎｃｈｉｐ［Ｊ］．ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｄｅｖｉｃｅｓ，２００９，９５（１５）：１５１ｌ１６．
１９８４，３１（９）：１１３５?１１３９．
［６１］Ｆ．Ｈｕａｎｇ，Ｍ．Ｃｈｕ
ｒｅｌａｘｅｄｉｎｓｕｌａｔｏｒ
ａｎｄＭ．Ｔａｎｎｅｒ．Ｈｉｇｈ?ｑｕａｌｉｔｙｓｔｒａｉｎ—
【５７］Ｌ．Ｃｏｌａｃｅ，Ｇ．Ｍａｓｉｎｉ，Ｆ．Ｇａｌｌｕｚｚｉ，ｅｔａ１．Ｍｅｔａｌ—ｓｅｍｉｃｏｎ—
ｄｕｃｔｏｒ－ｍｅｔａｌｎｅａｒ－ｉｎｆｒａｒｅｄｌｉｇｈｔｄｅｔｅｃｔｏｒｂａｓｅｄ
ａｌｌｏｙ伊ｏｗｎｉｍｐｌａｎｔｅｄ
ｓｉｌｉｃｏｎ—ｏｎ—
ｅｐｉｔａｘ－
ｓｕｂｓｔｒａｔｅ【Ｊ】．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ＊．，２０００，７６（１９）：
ｉａｌＧｅ／Ｓｉ【Ｊ］．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ＊．，１９９８，７２（２４）：３１７５—３１７７．
２６８０—２６８２．
【５８】Ｍ．Ｊｕｔｚｉ，Ｍ．Ｂｅｔｒｏｔｈ，Ｇ．Ｗｔｉｈｌ，ｅｔａ１．Ｇｅ—ｏｎ—Ｓｉｖｅｒｔｉｃａｌ
ｉｎｃｉｄｅｎｃｅｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓｗｉｔｈ３９一ＧＨｚｂａｎｄｗｉｄｔｈ［Ｊ］ＩＥＥＥ
．址—Ｓｔ．５止—Ｓ屯．Ｓ止．址“龇—喜ｔ舢—Ｓ止．址．；ｔ．Ｓ屯．Ｓ止．Ｓ也驰．址．Ｓ止“．５止．Ｓ止
作者简介：
Ｐｈｏｔｏｎ．Ｔｅｃｈｎ０１．Ｌｅｔｔ．，２００５，１７（７）：１５１０—１５１２．赵璩（１９８３一），男，湖南邵东人，理学博士，工艺工程师，主要从事半导体薄膜与器件的研究。
［５９］Ｓ．Ｋｌｉｎｇｅｒ，Ｍ．Ｂｅｒｒｏｔｈ，Ｍ．Ｋａｓｃｈｅｌ，ｅｔ
ａ１．Ｇｅ—ｏｎ—ＳｉＰ—ｉ—ｎ
匝■圈（总第２１８期）⑧
SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究作者：
作者单位：
英文刊名：
年，卷(期)：潘章杰， 冯玢， 王磊， 郝建民， Zhang-Jie Pan， Bin Feng， Lei Wang， Jian-min Hao中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300222电子工业专用设备Equipment for Electronic Products Manufacturing)
本文链接：http://d..cn/Periodical_dzgyzysb.aspx
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