SIHG20N50C
Vishay/威世通
绝缘栅(MOSFET)
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
Vishay/威世通
种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
Vishay/威世通
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
Vishay/威世通
种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
Vishay/威世通
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
Vishay/威世通
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:CC/恒流,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:GE-N-FET锗N沟道
Vishay/威世通
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:其他,导电方式:增强型,用途:ZF/中放,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
Vishay/威世通
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:P沟道,导电方式:增强型,用途:S/开关,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:P-FET硅P沟道
Vishay/威世通
种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:D/变频换流,材料:MES金属半导体
Vishay/威世通
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:N-FET硅N沟道
Vishay/威世通
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
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SIHG20N50C-E3
N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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最大连续漏极电流20 A
最大漏源电压500 V
最大漏源电阻值0.27 Ω
最小栅阈值电压3V
最大栅源电压±30 V
封装类型TO-247AC
安装类型通孔
通道模式增强
类别功率 MOSFET
最大功率耗散250 W
尺寸15.87 x 5.31 x 20.82mm
晶体管材料Si
典型接通延迟时间80 ns
最低工作温度-55 °C
典型栅极电荷@Vgs65 nC@ 10 V
典型输入电容值@Vds2451 pF@ 25 V
典型关断延迟时间32 ns
每片芯片元件数目1
宽度5.31mm
高度20.82mm
最高工作温度+150 °C
长度15.87mm
全选
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Vishay SIHG20N50C-E3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=500 V, 3针 TO-247AC封装
SIHG20N50C-E3
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标准包装
行业包装
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产品名称
Vishay SIHG20N50C-E3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=500 V, 3针 TO-247AC封装
供应商/品牌
制造商零件编号
SIHG20N50C-E3
上述信息与如下所示的产品销售日期或销售后的日期相关.
欧时电子元件（上海）有限公司
日期
Oct 4, 2016
欧时电子元件(上海）有限公司, 上海市黄浦区延安东&#号东海商业中心二 200001
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场效应管SIHG20N50C-E3D代替IRFP460BPF
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商家等级：
所在地区：
广东省 深圳市
认证信息：
种类：其它
沟道类型：其它
导电方式：其它
品牌：VISHAY
型号：SIHG20N50C-E3
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产品名称：&三极管
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所 在 地：广东 深圳市宝安区
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生产厂家/销售商信息
联系人：叶奕君 销售经理 女士
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产品属性/技术参数：
是否提供加工定制
Infineon英飞凌
击穿电压VCEO
集电极最大允许电流ICM
集电极最大耗散功率PCM
截止频率fT
TO-3P 全新光脚
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