三极管是如何放大电流的？_百度知道
三极管是如何放大电流的？
　　三极管的基本放大电路
基本放大电路是放大电路中最基本的结构，是构成复杂放大电路的基本单元。它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。　　放大电路的组成原则：
1．保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。
2．输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极，形成变化的基极电流，从而产生三极管的电流控制关系，变成集电极电流的变化。
3．输出回路的设置应该保证将三极管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式（输出电压或输出电流）。
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基极电流和集电极电流合起来形成发射极电流。基极电流Ib:///zhidao/wh%3D600%2C800/sign=/zhidao/pic/item/e251fe0f77f3e53b9、集电极电流Ic和发射极电流Ie的关系见下图——
那么Ib+Ic=Ie，因为整个物质的要保持电中性，而基极流向射极的电流可以看成是一种补偿用的空穴，大部分的电流都是由电源通过集电极注入的，也就是Ib=Ic乘以一个常数，用以维持P内的空穴浓度差，一个管正偏，可以把射极看成是两个电源加到的共同的电阻，三基管的接法是基极端接一个对射极正的电压，会发现，说简单点，空穴流动的越多，感兴趣的话可以看看《半导体物理》，实际的电流是在PN结处空穴和电子电流的叠加您好，一个反偏，没有凭空产生，射极为Ie，把三集管看成是两个背靠背的二极管，才能让集电极流入电流（集电极有接电源），基区P中的由浓度差产生的空穴电流的累积电荷必须和每个点的由电源电压产生的空穴电流相等，然后人们故意把基极设计的很薄很小就是依照这个公式使得基极注入的小而集电极注入的大，在一定的范围内这种补偿电流可以看成与通过的所有电流成比例关系，两个电流在射极交会，电势差都和电流有关系，正是由于基极加了电压，合成一个更大的电流Ic，电流越大，所以需要补偿的电流就越大，PN结宽度，所以得到一个方程，用PNP管介绍，集电极的电流不是空穴来风而是由于它接了电源。复杂点，而流入的电流多少又决定的基级的电流，设集电极的电流为Ic，然后集电极接电源，在基极注入小电流Ib，对射极也同
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根据节点电流定律，c-e之间电阻无穷大，并不是来自基极输入的能量。在三极管共射极放大电路中，基极是起着控制集电极电流的作用，c-e之间必须加上一个较大的电压，这电流的能量是从电源那儿来的，形成电流Ic，则。所以能量守恒定律用在这里分析并不恰当，当基极与发射极通过的电流为零时，集电极电流就不能形成，与能量守恒定律并不矛盾，使c-e之间的电阻减小，流入三极管的电流等于流出三极管的电流这问题简单说；当基极输入一个小电流时
放大电路的目的是将微弱的变化信号不失真的放大成较大的信号。1、放大：是对差异和变化说的，即放大差异和变化。2、放大必须遵守能量守恒的原则。3、放大作用的实质是能量的转换和控制，能量由直流电源提供。通俗的说：Ic-Ie后那多出来的那部分电流是另外的直流电源提供的。它并不是将能量放大而是将变化量放大。
放大是个说法，因为有个倍数关系，实际是控制。
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出门在外也不愁怎么判断三极管的的才C,B,E级及管子的型号NPN还是PNP？_百度知道
怎么判断三极管的的才C,B,E级及管子的型号NPN还是PNP？
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则表明被测管的集电极C与发射极E插反了.5mA，此时应改换其他引脚重新测量，测量结果如表5-9所列。　　实例二.815V，需使用数字万用表的hFE档，用该档检测2AP3型二极管的正向压降，按图5-51(a)所示方法依次进行测量，鉴别二极管的性能时，剩下两个引脚分别插入C孔和E孔中，如没有短路元件。　　二，测量时，测量结果与使用手册中给出的引脚排列顺序相符。此法有时简便易行。三个电极分别与三极管内部半导体的三个区（发射区，表明红表笔接的引脚不是基极B，测量结果与使用手册中给出的引脚排列顺序相符。按PN结的不同组合方式，直到找出基极B为止。将DT830型数字万用表拨至二极管档：晶体管（NPN型硅管）的B－C极间及B-－E极间（等效二极管）的正向导通压降约为0，则可认为管子是好的，这既比较准确可靠.500～0，还可鉴别硅管与锗管，即把③脚插入C孔。例如.857V和0。由六次测量数据可见，NPN型管的发射极箭头向外。这是因为.500，①脚是发射极，而二极管属于非线性元件！（1）指针式万用表的电阻档可用来比较可靠地检测二极管。对于质量良好的晶体管（以NPN管为例）。虽然不同型号的数字万用表对二极管正向压降的测量结果有较大的离散性。例如。　　（2）使用数字万用表的二极管档测量二极管的正向压降，晶体三极管分为PNP型和NPN型两种；若两次都显示溢出符号“1”，以仪表显示值大（几十～几百）的一次为准。　　1． 检测实例　　实例一。由六次测量数据可见，③脚插入E孔，使用PNP插孔，而测得的数字偏小时。为了使测试结果更可靠：集电区与基区之间的PN结称为集电结：　　测量一只型号不明的晶体管，参见图5-50(a)，这就无法判定被测管的单向导电性能是否正常，也属正常情况。有的硅晶体管在C，一次显示值小于1V，并且被测管属于NPN型，则很可能是被测管的相应PN结有断路性损坏、③脚位置重测.800V，又比较直观，从左至右排列.8V.3V左右，应使用二极管档进行测试，测量大功率晶体管的hFE值时，①脚是发射极，但必须使用hFE档的PNP插孔，把②脚插入B孔。因此。若测出的hFE值只有几～十几，则将数字万用表拨至hFE档。　　（2）用hFE档区分小功率晶体管C，黑表笔依次接①、③，证明上述判断正确，将红表笔固定接被测晶体管的基极B。　　1． 鉴别基极B　　将数字万用表拨至二极管档。如仪表显示值小于0，使用数字万用表的二极管档。把基极B插入B孔，又测得hFE=80。测量时。如果将集电极C与发射极E的引脚插反了。　　3． 在路检测晶体管　　所谓“在路检测”。若测出的hFE为几十～几百。据此可以判定③脚为集电极，在20MΩ以上。　　检测PNP管的步骤同上，仪表显示的值较大，亦属于正常现象，则表明被测管属于PNP管.7V左右，当①脚插入E孔，当把①脚插入C孔。由此可知，此时C孔插的是集电极C，如果数字万用表显示屏显示的数字在0，当红表笔接②脚。如仪表显示值大于0。将DT830型数字万用表拨至二极管档，反向电阻常超出仪表量程，使用NPN插孔、测量管子的共发射极电流放大系数hFE，③脚插入C孔时测得hFE＝100。现以测试NPN晶体管为例，用黑表笔依次接发射极E及集电极C，有时难以判定。　　上述方法的原理是，其正向电阻可达几兆欧、 晶体三极管的结构类型 　　晶体三极管通常称为晶体管或三极管，但数字万用表的电阻档不宜检测二极管.813V和0，如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”，用20MΩ档测试小功率二极管时，测量结果如表5-8所列。二者电源电压的连接方式是不同的，所以晶体管PN结正常时屏幕应该显示0，hFE＝13：被测管实际是9013型NPN管。此外。如果在两次测试中。　　3． 区分集电极C与发射极E（兼测hFE值）　　鉴别区分晶体管的集电极C与发射极E，所以用数字万用表电阻档测出来的阻值与正常值相差很大、③，C孔插的引脚即是集电极C，即表示352mV或0、③脚时.850范围内，使用NPN插孔，另一次显示溢出符号“1”，这时读数的单位是mV。发射区与基区之间的PN结称为发射结，则被测管属于NPN型，把集电极C与发射极E调换复测1～2次，证明上述判断正确，本测试方法不适用。按上述操作确认基极B之后，具体数值依所用电阻档而定）一，用黑表笔依次接触另外两个引脚.7V：对于检测二极管时应注意以下事项.856V，两次显示的值分别为0。它是由两个相距很近的PN结组成的，红表笔依次接①，这两种类型的三极管在电路符号上是有区别的，正向显示为“509”，并且被测管是PNP型，说明管子属于正常接法。预先把三个电极编上序号①，从左至右排列，放大能力较强，所以不适用于检测晶体管。另外，由此判定②脚是基极、②，则可认定被测管有击穿性损坏，说明C－E极间已短路，一般都有三个电极，E孔插的是集电极C，引脚对着测试者。如果都显示0。　　需要说明的是，可将基极B固定插在B孔不变，即表示正向压降为509mV或0，即发射极E。按图5-51(b)所示方法依次进行测量、②，引脚对着测试者，说明具体方法。　　上述测试方法的原理很简单，不同的是屏幕显示的应为0，则可检查管子外围电路是否有短路的元器件。　　2． 区分NPN管与PNP管　　仍使用数字万用表的二极管档，以判断其好坏，集电结加上了反向偏置电压，其正。PNP型管的发射极箭头向内，当黑表笔接②脚，应使用二极管档及hFE档进行测试、③脚时，管子就不能正常工作，应在断电的状态下进行：若被测管PN结两端并接有小于700Ω电阻，放大倍数就很低、基极B和集电极C，管子的平面朝上、反向电阻值的大小与测试电流有很大关系，由此判定②脚是基极，E孔插的是发射极E。如果假设被测管是NPN型管。调换①脚和③脚，若两次测量显示值均为零，直接在电路板上进行测量。　　值得注意的是、基区和集电区）相接，将红表笔接基极B，红表笔固定任接某个引脚，是指不将晶体管从电路中焊下，管子的平面朝上，可焊开电阻的一引脚再进行测试，若为几至十几，当使用hFE档按正常接法插入插孔时。　　接下来将数字万用表拨至hFE档，①脚插入E孔，③脚为集电极、 晶体管的检测方法　　利用数字万用表不仅能判定晶体管电极，数字万用表电阻档所提供的测试电流太小（一般为100mA～0，两次显示的分别为0，则不要盲目认为晶体管已经损坏。　　表5-8 实例一测量结果　　接下来把仪表拨至hFE档、E极时，用黑表笔先后接触其他两个引脚，E孔插的引脚则是发射极E，这种管子不宜使用、E极接反时测得hFE＝0。由于数字万用表电阻档的测试电流小，对于B－E极间内置小电阻的晶体管（如彩色电视机用2SD870型行输出管）：　　预先把三个电极编上序号①.850。　　备注，则红表笔所接的引脚就是基极B，发射结加上了正向偏置电压。　　测量锗材料晶体管PN结的方法和测量硅材料晶体管一样。调换①.352V（此管为锗管）。用该档检测IN4007型二极管时，也应将管子从电路中焊下复测。　　2． 注意事项　　（1） 在用数字万用表二极管档判定晶体管基极B时，是各种电子设备的常用元件：被测管实际为9012型PNP管。此时，此时显示hFE＝8，显示为“352”.509V（此管为硅管），但不影响对锗管与硅管两类不同材料制造的二极管进行判别，②脚固定插入B孔，如果两次测出的hFE值都很小（几至十几），参见图5-50(b)。　　备注.500到0，数字万用表二极管档能提供的测试电压为＋2。三极管的内部结构和电路符号如图5-49所示，这时C孔插的时发射极E，说明被测管的放大　　能力很差，这是放大倍数较高，可进一步将管子从电路板上焊下复测
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如果CB、BE正向导通，就是NPN型长话短说，如果BC，就是PNP型、EB正向导通，那么用万用表的二极管导通档量，既然你已经知道了CBE的管脚
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出门在外也不愁>>请教高手，如何测得三极管Ｃ－Ｅ之间的漏电流？
请教高手，如何测得三极管Ｃ－Ｅ之间的漏电流？
三极管在截止状态，但Ｖｃｅ的电压在变化，即负载两端的电压会慢慢的上升，我更换了另一批次的三极管就好了。我想知道这个漏电流会在什么情况下产生的，以及能不能测出这个值？？？谢谢了。
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上个图来说比较好. 除了跟三极管工作状态有关,跟负载状况也有关.三极管没有深度饱和,主要影响的还是HFE参数(电流放大倍数).增加点正反馈或者加速电容可以解决这个问题.测量三极管的漏电流,在CE之间加电,把B极接E(NPN管)或接C(PNP管),用电流表读电源输出就可以了.KETHLEY2400可以完成这个量测.
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漏电流应该是在BE短接时在CE之间测得的电流
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CE之间的漏电流应该是在BE短接时CE间测得得电流
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有没有搞错哦，世界上不是有一种东西叫晶体管特性图示仪的东西么？
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对此问题提个问题：当Vce发生变化时，晶体管表面的温度同时变化吗？
从现象上看，有问题的晶体管我判断是软击穿。
如果要测晶体管的反向漏电，必须要专用的设备才能做到。在测此参数时，普通的晶体管测试用图示仪都测不了。原因是分辨率太低。
另外，关于晶体管的漏电，有明确的定义。一般普通的教科书都有。
网友Alicon所说的方法是错误的。如果把EB短接，则此时所测的漏电是Icbo，而不是Iceo.
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学习。。。。。
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用相应的仪器测试
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各位高手，我用的三极管是BU808，我把be极短接，然后加电压Vce，在电路里串接一个电阻和一个电流表，会看到电流表数值会慢慢地向上走。另一种名称的此种管子，就没测到电流数值会走，而且在我的电路里工作也正常。我想知道的是BU808的问题出在哪？
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mikeliu网友：首先，不论什么型号的双极型晶体管，在EB短路时，其工作状态已呈二极管了。此时，不能用晶体管理论来研究了。如果出现你所说的现象，我认为，此管子可能是一个异常管。
经查，BU808是一款高压大功率达林顿管。当出现你所说的现象时，应该查一下被测管的温度有没有变化。如有在升高，则此管子工基本上已损坏，如没有升高（或没有变化，则可能是电路中其它部分有问题，例如，出现对电容充电等。具体问题需进行具体分析。
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9准高手 亮了
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晶体管的特性一般说是很容易测试的只要按照参数的定义进行。晶体管特性图示仪即是如此的一种测试仪器。所以，只要知道参数的确切定义就可以很有效地进行测试了。用一般的数字万用表就可以实现。当然还需要一台可调电压直流电源。
测试参数最主要的是注意测试电路中接入合适的限流电阻，不要让被测晶体管在测试中被损坏了。
例如，测晶体管漏电流Ice0，你可以根据你在应用电路中的条件（或者严格按参数定义）将基极与发射极连接一个电阻，例如5K，集电极串一个1K和限流电阻，1K电阻上测得的电压，可得到集电极电流，接入可调电压电源。在晶体管击穿前，可测得各不同集电极电压下的集电极电流。这组参数是在Ib=0的条件下测得的，所以它是Ice0。
当然，晶体管参数与温度有关，所以你要注意晶体管的散热，你的测试结果是在你晶体管壳温度下的参数。这是直流参数。交流参数测试就比较麻烦了，使用的仪表也交多了。
回复主题：请教高手，如何测得三极管Ｃ－Ｅ之间的漏电流？
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126三级管在测试机测出iceo漏电，是管可靠性不高，怎么解决？
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